MOSFET de puissance canal N 30V-250V SGT

Trench MOSFET et caractéristiques clés • Conception à haute densité cellulaire • Idéal pour les emballages miniaturisés • Protection GS ESD intégrée • Plage de tension : 12 V-200 V MOSFET SGT et caractéristiques clés • Technologie avancée de tranchée...

MOSFET de puissance multicanal

Trench MOSFET et caractéristiques clés • Conception à haute densité cellulaire • Idéal pour les emballages miniaturisés • Protection GS ESD intégrée • Plage de tension : 12 V-200 V MOSFET SGT et caractéristiques clés • Technologie avancée de tranchée...

Wayon super jonction MOSFET 600V

La description WAYON maîtrise à la fois la technologie MOSFET à tranchée profonde et à super jonction multi-EPI, et dispose d'un portefeuille de produits très complet. Les spécifications du produit MOSFET à super jonction couvrent 500V-1200V, 2A-99A....

Composants discrets IGBT

MOSFET basse tension

MOSFET haute puissance 650V

introduction Wayon WMOSTM C2 est une nouvelle technologie de pointe à base de silicium pour MOSFET de puissance haute tension. En utilisant le principe avancé de super jonction, la technologie peut réduire considérablement le RDS(on) par zone par rap...

MOSFET haute tension 700V

Wyon WMOS MT MOSFET de puissance série EM Le produit d'amélioration des performances EMI de la technologie de super jonction Wayon introduction Wyon WMOS MT EM équilibrera le comportement de commutation rapide combiné aux exigences de « facilité d'ut...

MOSFET 800V

Wyon WMOS MT 2 sd Génération Technologie MOSFET de puissance 800V série M3 Les nouveaux produits issus de la technologie avancée de super jonction de Wayon introduction Téléphone 800V WMOS MT M3 est une nouvelle technologie de pointe à base de silici...

Puissance MOSFET> 900V

Puissance MOSFET 900V, 950V, 1000V, 1050V, 1200V train WMOS MT 2 rd Technologie de génération MOSFET de puissance de la série C2 Le nouveau produit sorti de la technologie de super jonction Wayon introduction train WMOS MT C2 est une nouvelle techno...

MOSFET de puissance à canal N 500 V et 550 V

CHEMIN 3 rd Technologie de génération MOSFET de puissance série C4 introduction Basé sur la technologie de super jonction à très haute densité de puissance, Wayon WMOSTM C4 améliorera considérablement les chiffres de mérite liés à la commutation (FOM...